1 概述
目前国内外制备电子级氢氟酸的常用提纯技术有精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、减压蒸馏、气体吸收等技术,这些提纯技术各有特性,各有所长。如亚沸蒸馏技术只能用于制备量少的产品,气体吸收技术可以用于大规模的生产。另外,由于氢氟酸的强腐蚀性,采用蒸馏工艺温度较高时腐蚀会更严重,因此所使用的蒸馏设备一般需用铂、金、银等贵金属或聚四氟乙烯等抗腐蚀性能力较强的材料来制造。电子级氢氟酸生产装置设计与工艺流程布置密切相关,垂直流向布置,原料( 无水氢氟酸和高纯水) 与中间产物可以依靠重力自上而下流动,高纯氢氟酸的制备在中部,产品过滤、灌装及贮存在底层。此布置可减少泵输送,节省能耗,降低生产成本,同时可避免泵对产品的二次污染。
2 生产工艺
将工业无水氢氟酸经化学预处理后,进入精馏塔通过精馏操作,得到的氟化氢气体经冷却后,在吸收塔中用超纯水吸收,并采用控制喷淋密度、气液比等方法使电子级氢氟酸进一步纯化,随后经0.2μm以下超滤工序,最后在密闭洁净环境条件下( 百级以下) 进行灌装得到最终产品———电子级氢氟酸。
3 生产方法的难点
3.1 分析控制与产品检测要求高。
制备电子级氢氟酸所应用的测试仪器如下: (1)电感耦合等离子高频质谱分析仪( ICP - MS);(2)电感耦合等离子原子发射分析仪( ICP - AES);(3)原子吸收分光光度计;(4)氧原子发生无焰原子吸收分析仪;(5)离子色谱分析仪;(6)激光散射液体微粒计数器;(7)水表面杂质分析系统;(8)原子间力显微镜;(9)光学显微镜微粒计数器;(10)扫描电子显微镜;(11)光学膜厚测定和表面仿形仪;(12)表面张力测定仪;(13) 空气中尘埃微粒测定仪;(14)水电阻率测定仪。
3.2 对水质要求高,要求水的电阻率≥18.0MΩ•cm。
高纯水是生产电子氢氟酸中不可缺少的原料,也是包装容器的清洗剂,其纯度将直接影响到电子级氢氟酸的产品质量。高纯水的主要控制指标是电阻率和固体颗粒,其他辅助指标有可氧化的总碳量(TOC) 、细菌、被溶解的二氧化硅、离子浓度等。目前,高纯水的生产工艺较为成熟,较常见是先通过离
子交换柱和微过滤器,得到普通纯水,然后再采用反渗透、电渗析等各类膜技术进一步处理,最后配合杀菌和超微过滤便可得到高纯水。
3.3 对主要生产设备材料及设备制造技术、包装技术的要求较为严格。
3.4 厂房、分析室、仓库等环境洁净度要求较高,与成品接触部分要达到100级。
3.5 整个生产过程中对产品质量管理要求极高。
4 生产工艺技术特征
4.1杂质砷是电子级氢氟酸中需要控制的一种重要杂质指标,在氢氟酸原料中砷一般以三价态形式存在,而且AsF3与氢氟酸的沸点相差不大,所以仅靠精馏对其分离的效果不会十分理想。为去除杂质砷,可在精馏前,加入适量的强氧化剂(如高锰酸钾等)将三价态的砷进行氧化,使其在精馏过程中沉积于塔釜中而被除去。
4.2生产设备与工艺:生产设备全采用碳钢衬聚四氟乙烯材料,生产工艺采用常压、全封闭、连续化,采用热水低温(小于100度)精馏.蒸馏工艺,工艺参数采用DCS集散控制系统生产。
4.3高纯水制备:通过离子交换与过滤器先制得普通纯水,再经过反渗透、电渗析后进入杀菌、超微过滤制得高纯水。
4.4在无水氢氟酸预处理槽边、精馏塔及蒸馏塔边、成品包装区设置HF有毒气体浓度探测、集中报警系统。
4.5设置尾气吸收塔、碱吸收塔,尾气可达标排放。
5 质量指标
目前,因各微电子生产企业对电子级氢氟酸要求的标准不同,可将其划分为四个档次:①低档产品,用于>1.2μmIC工艺技术的制作;②中低档产品,适用于0.8~1.2μmIC工艺技术的制作;③中高档产品,适用于0.2~0.6μmIC工艺技术的制作;④高档产品,适用于0.09~0.2μm和<0.09μm IC工艺技术的制作。
产品包装方法:采用高密度聚乙烯(或四氟乙烯、氟烷基乙烯基醚共聚物、聚四氟乙烯)专用密封工艺制造塑料桶25公斤桶装。
国际SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)标准化组织根据高纯试剂在世界范围内的实际发展情况,按品种进行分类,每个品种归并为一个指导性的标准,其中包括多个用于不同工艺技术的等级,具体见下表。
SEMI标准 |
C1 (Grade1) |
C7 (Grade2) |
C8 (Grade3) |
C12 (Grade4) |
(Grade5) |
C11
(VLSIGrade) |
金属杂质 |
≤1ppm |
≤10 ppb |
≤1 ppb |
≤0.1 ppb |
≤0.01 ppb |
≤50 ppb |
控制粒径μm |
≥1.0 |
≥0.5 |
≥0.5 |
≤0.2 |
/ |
≥0.5 |
颗粒,个/mL |
≤25 |
≤25 |
≤5 |
/ |
/ |
≤250 |
适应范围 |
适用于
>1.2μm
IC技术的制作 |
适用于
0.8-1.2μm
IC技术的制作 |
适用于
0.2-0.6μm
IC技术的制作 |
适用于
0.09-0.2μm
IC技术的制作 |
适用于
<0.09μm
IC技术的制作 |
适用于
0.8-1.2μm
IC技术的制作 |
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